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NVTFS9D6P04M8LTAG
1个P沟道 耐压:40V 电流:64A
- 描述
- 特性：小尺寸 (3.3x3.3mm)，适合紧凑设计。低导通电阻 (RDS(on))，以最小化传导损耗。低电容，以最小化驱动损耗。NVTFWS9D6P04M8L 可焊侧翼产品。AEC-Q101 认证且具备 PPAP 能力。这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂且符合 RoHS 标准
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVTFS9D6P04M8LTAG
- 商品编号
- C900546
- 商品封装
- WDFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.095067克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 64A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13.8mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 75W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V@580uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 34.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.312nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 31pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 923pF |
交货周期
订货3-5个工作日购买数量
(1500个/圆盘，最小起订量 1500 个)个
起订量：1500 个1500个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交6单
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