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NVTFS6H888NLTAG
1个N沟道 耐压:80V 电流:14A
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- 描述
- 特性：小尺寸 (3.3x3.3mm)，便于紧凑设计。 低RDS(on)，以最小化传导损耗。 低电容，以最小化驱动损耗。 可焊侧翼产品。 AEC-Q101合格且具备PPAP能力。 这些器件无铅且符合RoHS标准
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVTFS6H888NLTAG
- 商品编号
- C900543
- 商品封装
- WDFN-8(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.139394克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 41mΩ@10V,5A | |
| 耗散功率(Pd) | 23W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 258pF@40V | |
| 反向传输电容(Crss) | 3pF@40V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
优惠活动
购买数量
(1500个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个1500个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交1单
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