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NVTFS6H850NLWFTAG
1个N沟道 耐压:80V 电流:64A
- 描述
- 特性：小尺寸（3.3×3.3mm），适合紧凑设计。 低导通电阻（RDS(on)），以最小化传导损耗。 低电容，以最小化驱动损耗。 可湿侧翼产品。 通过AEC-Q101认证，具备生产件批准程序（PPAP）能力。 无铅器件，符合RoHS标准
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVTFS6H850NLWFTAG
- 商品编号
- C900533
- 商品封装
- WDFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.092克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 64A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 73W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 26nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.45nF@40V | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF@40V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
交货周期
订货95-97个工作日购买数量
(1500个/圆盘，最小起订量 3000 个)个
起订量：3000 个1500个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交4单
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