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AOD609实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

AOD609

1个N沟道+1个P沟道 耐压:40V 电流:12A

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描述
AOD609采用先进的沟槽技术MOSFET,可实现出色的RDS(ON)和低栅极电荷。互补MOSFET可用于H桥、逆变器及其他应用。
品牌名称
AOS
商品型号
AOD609
商品编号
C95235
商品封装
TO-252-4​
包装方式
编带
商品毛重
0.432克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道+1个P沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)12A
导通电阻(RDS(on))45mΩ@10V
耗散功率(Pd)30W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.7V
栅极电荷量(Qg)21nC@10V
输入电容(Ciss)1.125nF@40V
反向传输电容(Crss)68pF@40V
工作温度-55℃~+175℃

数据手册PDF

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(2500个/圆盘,最小起订量 1 个)
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