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NCE4435实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCE4435

1个P沟道 耐压:30V 电流:9.1A

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描述
P沟道 30V 9.1A ,Rds<20mΩ@Vgs=-10V超高性价比
商品型号
NCE4435
商品编号
C95275
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.26克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)9.1A
导通电阻(RDS(on))35mΩ@4.5V,6.9A
耗散功率(Pd)3.1W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.5V
栅极电荷量(Qg)30nC
输入电容(Ciss)1.6nF@15V
反向传输电容(Crss)300pF
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

NCE4435采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。

商品特性

  • VDS = -30V,ID = -9.1A
  • 在VGS = -4.5V时,RDS(ON) < 35 mΩ
  • 在VGS = -10V时,RDS(ON) < 20 mΩ
  • 具备高功率和大电流处理能力
  • 产品无铅
  • 表面贴装封装

应用领域

  • 电池开关-负载开关-电源管理

数据手册PDF