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NCE4953
2个P沟道 耐压:30V 电流:5.1A
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- 描述
- P沟道
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCE4953
- 商品编号
- C95270
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@10V,5.1A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC | |
| 输入电容(Ciss) | 520pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
UTM2054采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- 栅源电压（VGS） = 10 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） = 35 mΩ
- 栅源电压（VGS） = 4.5 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） = 45 mΩ
- 栅源电压（VGS） = 2.5 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） = 110 mΩ
- 超低栅极电荷（典型值11.5 nC）
- 低反向传输电容（反向传输电容（CRSS）典型值为60 pF）
- 快速开关能力
- 规定了雪崩能量
- 改善了dv/dt能力，具有高耐用性