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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCE0110K

1个N沟道 耐压:100V 电流:9.6A

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描述
NCE0110K采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
商品型号
NCE0110K
商品编号
C95272
商品封装
TO-252-2L​
包装方式
编带
商品毛重
0.547克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)9.6A
导通电阻(RDS(on))140mΩ@10V,6A
耗散功率(Pd)30W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.5V
栅极电荷量(Qg)15.5nC
输入电容(Ciss)690pF@25V
反向传输电容(Crss)90pF@25V
工作温度-55℃~+175℃

商品特性

  • 典型值:当栅源电压 VGS 为 10 V,漏极电流 ID 为 14 A 时,导通电阻 RDS(on) 为 7.0 mΩ
  • 典型值:当栅源电压 VGS 为 4.5 V,漏极电流 ID 为 11 A 时,导通电阻 RDS(on) 为 8.5 mΩ
  • 快速开关
  • 符合 AEC Q101 标准
  • 符合 RoHS 标准

应用领域

  • 逆变器
  • 电源
  • 汽车发动机控制
  • 动力总成管理
  • 电磁阀和电机驱动器
  • 电子变速器
  • 12V 和 24V 系统的主开关

数据手册PDF