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aot412
1个N沟道 耐压:100V 电流:60A
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- 品牌名称
- AOS
- 商品型号
- aot412
- 商品编号
- C98173
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.74克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2.68nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 260pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±25V |
商品概述
AOT412和AOB412L采用SDMOS沟槽技术制造,该技术将出色的RDS(ON)与低栅极电荷和低Qrr相结合。其结果是在可控的开关特性下实现卓越的效率。这种通用技术非常适合PWM、负载开关和通用应用。