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aot412
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)) | 15.8mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.8V |
商品概述
AOT412和AOB412L采用SDMOS沟槽技术制造，该技术将出色的RDS(ON)与低栅极电荷和低Qrr相结合。其结果是在可控的开关特性下实现卓越的效率。这种通用技术非常适合PWM、负载开关和通用应用。