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ESDL2011PFCT5G
ESD 1V截止 峰值浪涌电流：4.5A@1.2/50us
- 描述
- ESDL2011旨在保护需要低电容的电压敏感元件，使其免受静电放电（ESD）和瞬态电压事件的影响。出色的钳位能力、低电容、低泄漏和快速响应时间，使这些器件非常适合在电路板空间有限的设计中用于ESD保护。由于其低电容特性，该器件非常适合用于高速数据线应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- ESDL2011PFCT5G
- 商品编号
- C896710
- 商品封装
- DFN0603-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.08克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 反向截止电压(Vrwm) | 1V | |
| 钳位电压 | 6V | |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 4.5A@1.2/50us | |
| 击穿电压 | 1.4V | |
| 反向电流(Ir) | 500nA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 通道数 | 单路 | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 防护等级 | IEC 61000-4-2 | |
| 类型 | ESD | |
| Cj-结电容 | 0.17pF |
商品概述
ESDL2011旨在保护需要低电容的电压敏感元件，使其免受静电放电（ESD）和瞬态电压事件的影响。出色的钳位能力、低电容、低泄漏和快速响应时间，使这些器件非常适合在电路板空间有限的设计中用于ESD保护。由于其低电容特性，该器件非常适合用于高速数据线应用。
商品特性
- 低电容：0.17 pF（典型值）
- 低钳位电压
- 小尺寸封装：0.60 mmx0.30 mm
- 低封装高度：0.2 mm
- 耐受电压：1.0 V
- 符合IEC61000 - 4 - 2 4级ESD保护标准
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂（BFR），并符合RoHS标准
应用领域
- USB 3.x
- Thunderbolt 3.0