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NSVMUN5333DW1T1G
互补偏置电阻晶体管
- 描述
- 这款数字晶体管系列旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管（BRT）包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的晶体管，即串联基极电阻和基极-发射极电阻。BRT 通过将这些单独的组件集成到单个器件中，减少了系统成本和电路板空间。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NSVMUN5333DW1T1G
- 商品编号
- C893979
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 数量 | - | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 集电极电流(Ic) | 100mA | |
| 耗散功率(Pd) | 256mW | |
| 直流电流增益(hFE) | 80@5.0mA,10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 最小输入电压(VI(on)) | 1.3V | |
| 最大输入电压(VI(off)) | 600mV | |
| 输出电压(VO(on)) | 200mV | |
| 输入电阻 | 6.1kΩ | |
| 电阻比率 | 0.14 | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
交货周期
订货65-67个工作日购买数量
(30000个/圆盘，最小起订量 60000 个)个
起订量：60000 个30000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交1单