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HSM2627
停产 1个P沟道 耐压:20V 电流:10.7A
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- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSM2627
- 商品编号
- C845603
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.16克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10.7A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@4.5V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
商品概述
HSM2627是高单元密度沟槽式P沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 HSM2627符合RoHS标准和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
~~- 超低栅极电荷-提供绿色环保器件-出色的Cdv/dt效应抑制-先进的高单元密度沟槽技术