温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
HSU8048
1个N沟道 耐压:80V 电流:48A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- HSU8048是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET，可为大多数同步整流应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。HSU8048符合RoHS和无卤产品要求，100%经过雪崩能量耐量（EAS）测试，具备完整的功能可靠性认证。
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSU8048
- 商品编号
- C845608
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.508克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 48A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5mΩ@10V,20A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 56W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.86nF@40V | |
| 反向传输电容(Crss) | 38pF@40V |
商品概述
HSU8048是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET，能为大多数同步整流应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 HSU8048符合RoHS和无卤产品要求，100%经过EAS测试，具备全面的功能可靠性认证。
商品特性
- 提供环保器件
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制能力
- 先进的高单元密度沟槽技术