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HSP6048
1个N沟道 耐压:60V 电流:150A
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- 描述
- HSP6048是高单元密度的沟槽型N沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。HSP6048符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过雪崩能量耐量（EAS）测试，且具备完整的功能可靠性认证。
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSP6048
- 商品编号
- C845621
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.93克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 150A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.6mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 255W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 58nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.458nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 22pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.522nF |
商品概述
HSP6048是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET，为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 HSP6048符合RoHS和绿色产品要求，100%经过耐雪崩能量（EAS）测试，并通过全功能可靠性认证。
商品特性
- 超低栅极电荷
- 100%耐雪崩能量（EAS）保证
- 提供绿色环保器件
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 先进的高单元密度沟槽技术