温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
HSH200N02
1个N沟道 耐压:200V 电流:70A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- HSH200N02是具有极高单元密度的高性能沟槽型N沟道MOSFET，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。HSH200N02符合RoHS标准和绿色产品要求，100%保证具有抗雪崩能力（EAS），并通过了全功能可靠性认证。
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSH200N02
- 商品编号
- C845626
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.663克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 33mΩ@10V,30A | |
| 耗散功率(Pd) | 200W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 110nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.082nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 129pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 343pF |
商品概述
HSH200N02是高性能沟槽N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 HSH200N02符合RoHS和绿色产品要求，100%经过EAS测试，具备完整的功能可靠性认证。 电源开关应用
- 提供绿色环保器件 出色的Cdv/dt效应抑制
- 先进的高单元密度沟槽技术
其他推荐
- HSUL8712
- RC0603FR-13100KL
- RC0603FR-13100RL
- RC0603FR-1310KL
- RC0603FR-131KL
- RC0100FR-07100RL
- RC0100FR-07102KL
- RC0100FR-07102RL
- RC0100FR-07105KL
- RC0100FR-07105RL
- RC0100FR-07107KL
- RC0100FR-07107RL
- RC0100FR-0710K2L
- RC0100FR-0710K5L
- RC0100FR-0710K7L
- RC0100FR-0710ML
- RC0100FR-0710R2L
- RC0100FR-0710R5L
- RC0100FR-0710R7L
- RC0100FR-07110KL
- RC0100FR-07110RL