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HSU90N02
1个N沟道 耐压:20V 电流:90A
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- 描述
- HSU90N02是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。HSU90N02符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过雪崩能量（EAS）测试，具备完整的可靠性认证。
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSU90N02
- 商品编号
- C845613
- 商品封装
- TO-252-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.59克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.7mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 82W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
HSU90N02是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 HSU90N02符合RoHS和绿色产品要求，100%经过雪崩能量耐量（EAS）测试，具备完整的功能可靠性认证。
商品特性
- 提供绿色环保器件
- 超低栅极电荷
应用领域
- 电池保护
- 电源管理