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HSP120N08实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

HSP120N08

1个N沟道 耐压:80V 电流:120A

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描述
HSP120N08是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。HSP120N08符合RoHS标准和绿色产品要求,100%经过耐雪崩能力(EAS)测试,且具备完整的可靠性认证。
品牌名称
HUASHUO(华朔)
商品型号
HSP120N08
商品编号
C845616
商品封装
TO-220​
包装方式
管装
商品毛重
2.12克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)80V
连续漏极电流(Id)120A
导通电阻(RDS(on))5.7mΩ@10V,50A
耗散功率(Pd)220W
阈值电压(Vgs(th))3V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)66nC@10V
输入电容(Ciss)4.033nF
反向传输电容(Crss)35pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)548pF

商品概述

HSP120N08是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。 HSP120N08符合RoHS和绿色产品要求,100%经过雪崩能量耐量(EAS)测试,具备完整的可靠性认证。

商品特性

  • 100%经过雪崩能量耐量(EAS)测试
  • 先进的高单元密度沟槽技术

应用领域

  • 电机驱动-同步整流(SR)-DC/DC转换器

数据手册PDF