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HSP120N08
1个N沟道 耐压:80V 电流:120A
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- 描述
- HSP120N08是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。HSP120N08符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过耐雪崩能力（EAS）测试，且具备完整的可靠性认证。
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSP120N08
- 商品编号
- C845616
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 220W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 66nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.033nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 548pF |
商品概述
HSP120N08是高单元密度SGT N沟道MOSFET，为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。HSP120N08符合RoHS和绿色产品要求，100%保证具有抗雪崩能力（EAS），并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 100%保证具有抗雪崩能力（EAS）
- 适用于电机驱动
- 适用于同步整流（SR）
- 适用于DC/DC转换器
- 采用先进的高单元密度SGT MOS技术