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HSBA060N10
1个N沟道 耐压:100V 电流:86A
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- 描述
- HSBA060N10是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET，可为大多数AC/DC快充同步整流应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSBA060N10
- 商品编号
- C845607
- 商品封装
- PRPAK5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.267克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 86A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 89W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.01nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 539pF |
商品概述
HSBA060N10是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET，可为大多数AC/DC快速充电器的同步整流提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。
商品特性
- 100%保证耐雪崩能力（EAS）
- 低导通电阻RDS(ON)
- 低栅极电荷
- 符合RoHS标准且无卤