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HSBA15810C
1个N沟道 耐压:100V 电流:100A
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- 描述
- 100% EAS保证。有绿色环保器件。超低导通电阻RDS(ON)。先进的高单元密度沟槽技术
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSBA15810C
- 商品编号
- C845605
- 商品封装
- PRPAK5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.015克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5mΩ@10V,30A | |
| 耗散功率(Pd) | 208W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 72nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.725nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 14pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 609pF |
商品概述
- 100% 保证符合 EAS 标准
- 提供绿色环保器件
- 超低导通电阻 RDS(ON)
- 先进的高单元密度沟槽技术
应用领域
- 电机驱动器-电池管理系统 (BMS)-高频开关和同步整流