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NCE80H11D-VB

1个N沟道耐压:80V

描述: 台积电流片，长电科技封装；是一款单极性N型沟道MOSFET，采用Trench工艺制造，适用于需要高性能、高可靠性和高效率的功率电子模块，如电源管理、电动车辆和工业自动化等领域。TO263；N—Channel沟道,80V；120A；RDS(ON)=6mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2.5~4.5V；
品牌名称: VBsemi(微碧半导体)
商品型号: NCE80H11D-VB
商品编号: C7569041
商品封装: TO-263
包装方式: 管装
商品毛重: 1.65克(g)

商品参数

	属性	参数值
	导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)	6mΩ@10V
	阈值电压(Vgs(th)@Id)	3.7V