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NCE0130A-VB
1个N沟道 耐压:100V
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道功率MOSFET，采用Trench工艺制造，具有高性能和可靠性，适用于各种功率电子应用，高效率和高功率的电源和驱动器应用。TO220；N—Channel沟道,100V；55A；RDS(ON)=36mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- NCE0130A-VB
- 商品编号
- C7569038
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.665克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 55A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - | |
| 功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | - | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | - | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 4.5nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 90pF@25V | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - |
优惠活动
购买数量
(50个/管，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个50个/管
近期成交0单
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