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IRFB3407ZPBF-VB
1个N沟道 耐压:80V 电流:160A
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款高性能单N沟道MOSFET，采用Trench技术。适合在需要高效能和高可靠性的场合使用。TO220；N—Channel沟道,80V；160A；RDS(ON)=4.8mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IRFB3407ZPBF-VB
- 商品编号
- C7569019
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 160A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.8mΩ@10V；5.5mΩ@7.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 370W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 94nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.71nF@40V | |
| 反向传输电容(Crss) | 348pF@40V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 3.25nF |
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