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AM4841P-T1-PF-VB
1个P沟道 耐压:40V
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款一款单P型场效应管，采用Trench工艺制造，具备可靠性和性能稳定性。适用于广泛的领域和模块，包括电源管理、电动工具、电路保护、电源逆变和汽车电子等，为各种应用提供稳定可靠的性能和高效能的操作。SOP8；P—Channel沟道,-40V；-16.1A；RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1.2~-2.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- AM4841P-T1-PF-VB
- 商品编号
- C7568788
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.235克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 6.3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 64nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.007nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 291pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 335pF |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- 沟槽功率 MOSFET
- 100% 进行了单脉冲雪崩耐量（UIS）测试
- 100% 进行了栅极电阻（Rg）测试
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
应用领域
- 机顶盒-低电流 DC/DC 转换器