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hy3810p-VB
1个N沟道 耐压:100V 电流:120A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款采用Trench技术的单N沟道场效应晶体管，适用于中功率的应用场合，可用于多种功率电子设备和电源管理模块中。TO220；N—Channel沟道,100V；120A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2.5~4V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- hy3810p-VB
- 商品编号
- C7525076
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.676克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 370W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 76nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 10nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 165pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.025nF |
商品特性
- 根据 IEC 61249-2-21 定义为无卤产品
- 低阈值：2 V（典型值）
- 低输入电容：25 pF
- 快速开关速度：25 ns
- 低输入和输出泄漏电流
- 沟槽功率 MOSFET
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
应用领域
- 直接逻辑电平接口：TTL/CMOS
- 驱动器：继电器、螺线管、灯、锤击器、显示器、存储器、晶体管等
- 电池供电系统
- 固态继电器
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