温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IRL640APBF-VB
1个N沟道 耐压:200V 电流:30A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于各种电源管理和功率控制应用。TO220；N—Channel沟道,200V；30A；RDS(ON)=110mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IRL640APBF-VB
- 商品编号
- C7525078
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.804克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 34nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 180pF |
优惠活动
购买数量
(50个/管，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个50个/管
总价金额：
￥ 0.00近期成交1单
相似推荐
其他推荐
- IRLIZ14GPBF-VB
- ME60N03AS-VB
- NTB6412ANT4G-VB
- NTMD4820NR2G-VB
- PHK5NQ15T-VB
- PMV31XN-VB
- PSMN015-100B-VB
- QM2N7002E3K1-VB
- QM3004M3-VB
- RFD16N06LESM9A-VB
- RHP020N06T100-VB
- SH8K3TB-VB
- SI2337DS-T1-E3-VB
- SI7463DP-VB
- SI7489DP-VB
- SIR662DP-T1-GE3-VB
- SIR866DP-T1-GE3-VB
- SIR870DP-T1-GE3-VB
- SM2309PSAC-TRG-VB
- SPD02N60S5-VB
- SPN9926AS8RG-VB