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PSMN015-100B-VB实物图
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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

PSMN015-100B-VB

1个N沟道 耐压:100V 电流:100A

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描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N型MOSFET，采用Trench工艺制造，具有较高的漏极电流能力和低导通电阻，适合用于电源逆变器中的开关电路等领域。TO263；N—Channel沟道,100V；100A；RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；
品牌名称
VBsemi(微碧半导体)
商品型号
PSMN015-100B-VB
商品编号
C7525087
商品封装
TO-263(D2PAK)​
包装方式
管装
商品毛重
1.4克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)100A
导通电阻(RDS(on))10mΩ@10V
耗散功率(Pd)250W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA
输入电容(Ciss)6.55nF
反向传输电容(Crss)265pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)665pF

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