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RHP020N06T100-VB
1个N沟道 耐压:60V 电流:4.7A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺制造，适用于各种功率电路应用。SOT89-3；N—Channel沟道,60V；5.5A；RDS(ON)=76mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~3V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- RHP020N06T100-VB
- 商品编号
- C7525091
- 商品封装
- SOT-89
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.116克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 4W | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 800pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
~~- 沟槽功率MOSFET-最高结温175 °C-符合RoHS指令2002/95/EC
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