温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SI7463DP-VB
1个P沟道 耐压:40V 电流:40A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单P通道功率MOSFET，采用Trench工艺制造，适用于多种电子领域和模块。DFN8(5X6)；P—Channel沟道,-40V；-40A；RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1.2~-2.3V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SI7463DP-VB
- 商品编号
- C7525094
- 商品封装
- DFN5x6-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.168克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V；12mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 39W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 42.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.65nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 350pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 386pF |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 进行100% Rg和UIS测试
应用领域
- 或门功能
- 服务器
相似推荐
其他推荐
- SI7489DP-VB
- SIR662DP-T1-GE3-VB
- SIR866DP-T1-GE3-VB
- SIR870DP-T1-GE3-VB
- SM2309PSAC-TRG-VB
- SPD02N60S5-VB
- SPN9926AS8RG-VB
- SPP2301-VB
- SPP80N04S2L-03-VB
- SSF2301B-VB
- STB14NM50N-VB
- STP3NB80FP-VB
- STP7NK40Z-VB
- SUD35N10-26P-GE3-VB
- SUD50N04-8M8P-4GE3-VB
- TN0201K-T1-E3-VB
- TP0101K-T1-E3-VB
- TP0610T-T1-E3-VB
- VBQA2104N
- WPM2026-3/TR-VB
- BUK9277-55A-VB