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VBQA2104N
1个P沟道 耐压:100V 电流:28A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款一款单P通道沟道场效应管，采用Trench技术，适用于多种电子领域和模块。DFN8(5X6)；P—Channel沟道,-100V；-28A；RDS(ON)=32mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1.8~-3V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBQA2104N
- 商品编号
- C7525113
- 商品封装
- DFN5x6-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.158克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 28A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@10V；36mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 6.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 76nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 290pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 390pF |
优惠活动
购买数量
(5000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个5000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交2单
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