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DMN26D0UFB4-7B
1个N沟道 耐压:20V 电流:240mA
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- 描述
- 这新一代MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN26D0UFB4-7B
- 商品编号
- C7525126
- 商品封装
- DFN-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.01克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 240mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6Ω@1.8V,20mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV | |
| 输入电容(Ciss) | 28.2pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.2pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 超低导通电阻RDS(ON)
- 低栅极电荷Qg
- 经过100% UIS和Rg测试
- 无铅引脚镀层
- 无卤且符合RoHS标准
- 通过汽车应用AEC-Q101认证