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DMN26D0UFB4-7B
1个N沟道 耐压:20V 电流:240mA
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- 描述
- 这新一代MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN26D0UFB4-7B
- 商品编号
- C7525126
- 商品封装
- DFN-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.01克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 240mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6Ω@1.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV | |
| 输入电容(Ciss) | 28.2pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
-N沟道MOSFET-低导通电阻-极低的栅极阈值电压-低输入电容-快速开关速度-低输入/输出泄漏电流-超小型表面贴装封装,最大封装高度0.4mm-栅极具备ESD保护-完全无铅且符合RoHS标准-无卤素和锑,为“绿色”器件-该器件符合JEDEC标准(参考AEC-Q),具备高可靠性
应用领域
-DC-DC转换器-电源管理功能