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SI7489DP-VB
1个P沟道 耐压:100V
描述
台积电流片，长电科技封装；是一款一款单P通道沟道场效应管，采用Trench技术，适用于多种电子领域和模块。DFN8(5X6)；P—Channel沟道,-100V；-28A；RDS(ON)=32mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1.8~-3V；
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
SI7489DP-VB商品编号
C7525095商品封装
DFN-8(5x6)包装方式
编带
商品毛重
0.068克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个P沟道 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - |
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