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RFD16N06LESM9A-VB实物图
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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

RFD16N06LESM9A-VB

1个N沟道 耐压:60V 电流:45A

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描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，具有高效、稳定和可靠的特性，可满足不同应用的需求，适用于设计稳定可靠的电源供应模块、电动工具、电动车控制器、LED照明等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；45A；RDS(ON)=25mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；
品牌名称
VBsemi(微碧半导体)
商品型号
RFD16N06LESM9A-VB
商品编号
C7525090
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.401克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)45A
导通电阻(RDS(on))25mΩ@10V
耗散功率(Pd)100W
阈值电压(Vgs(th))2V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)11nC@10V
输入电容(Ciss)1.5nF
反向传输电容(Crss)60pF
工作温度-55℃~+175℃@(Tj)
类型N沟道
输出电容(Coss)140pF

数据手册PDF

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