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ME60N03AS-VB
1个N沟道 耐压:20V 电流:100A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺制造，适用于需要高功率输出和稳定性能的电源管理和功率控制系统。TO252；N—Channel沟道,20V；100A；RDS(ON)=4.5mΩ@VGS=4.5V,VGS=15V；Vth=0.5~1.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- ME60N03AS-VB
- 商品编号
- C7525080
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.387克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 71W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 26nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.66nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 375pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 730pF |
商品特性
- ThunderFET功率MOSFET
- 最高结温175°C
- 100%进行Rg和UIS测试
- 材料分类：有关合规定义，请参阅RoHS
- 符合标准
- N沟道MOSFET
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