HAT1020R-VB
1个P沟道 耐压:30V 电流:5.8A
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- 描述
- 台积电流片,长电科技封装;是一款单P沟道场效应晶体管,采用Trench工艺,用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域,包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8;P—Channel沟道,-30V;-5.8A;RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=-0.7~-2V;
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- HAT1020R-VB
- 商品编号
- C7524955
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.125克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 33mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- 沟道型功率 MOSFET
- 100% 测试栅极电阻 (Rg)
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
应用领域
- 便携式设备的负载开关
- 手机
- 数码相机 (DSC)
- 便携式游戏机
- MP3 播放器
- 全球定位系统 (GPS)
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