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SPD04N60C3-VB
1个N沟道 耐压:650V 电流:5A
描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道功率场效应晶体管（FET），采用SJ_Deep-Trench技术制造，具有稳定可靠的性能和高效的功率处理能力。适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。TO252；N—Channel沟道,650V；5A；RDS(ON)=950mΩ@VGS=10V,VGS=±30V；Vth=2~4V；
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
SPD04N60C3-VB商品编号
C7524976商品封装
TO-252包装方式
编带
商品毛重
0.403克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - |
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