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SPD04N60C3-VB
1个N沟道 耐压:650V 电流:5A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道功率场效应晶体管（FET），采用SJ_Deep-Trench技术制造，具有稳定可靠的性能和高效的功率处理能力。适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。TO252；N—Channel沟道,650V；5A；RDS(ON)=950mΩ@VGS=10V,VGS=±30V；Vth=2~4V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SPD04N60C3-VB
- 商品编号
- C7524976
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.403克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 950mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 205W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 320pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF@1V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 75pF |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合欧盟2011/65/EU号RoHS指令
应用领域
- 或门应用
- 服务器
- 直流/直流转换