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MMBF2202PT1G-VB
1个P沟道 耐压:20V 电流:3.1A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单极性的功率场效应管，采用Trench工艺制造，适合于空间有限的应用场合。SC70-3；P—Channel沟道,-20V；-3.1A；RDS(ON)=80mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=-0.45~-1.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- MMBF2202PT1G-VB
- 商品编号
- C7524965
- 商品封装
- SOT-323(SC-70)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0155克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@4.5V；100mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 450mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 272pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 44pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 55pF |
商品特性
- 结温175 °C
- 沟槽功率MOSFET
- 材料分类：符合RoHS标准
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