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SPB18P06PG-VB
1个P沟道 耐压:60V 电流:30A
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款一款单P型场效应管，采用Trench工艺制造，具备可靠性和性能稳定性。适用于广泛的领域和模块，包括电源管理、电动工具、电路保护、电源逆变和汽车电子等，为各种应用提供稳定可靠的性能和高效能的操作。TO263；P—Channel沟道,-60V；-30A；RDS(ON)=64mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SPB18P06PG-VB
- 商品编号
- C7524975
- 商品封装
- TO-263(D2PAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.6克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 64mΩ@10V；77mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 110pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 210pF |
商品特性
- 隔离封装
- 高电压隔离 = 2.5 kV_RMS（t = 60 s；f = 60 Hz）
- 漏极至引脚爬电距离 = 4.8 mm
- 工作温度达 175 °C
- 动态 dV/dt 额定值
- 低热阻
- 提供无铅（Pb）版本
- N 沟道 MOSFET