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PMGD280UN-VB

2个N沟道 耐压:20V 电流:2.6A

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描述
台积电流片，长电科技封装；是一款双N型+N型场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于多种应用场景。SC70；2个N—Channel沟道,20V；2.6A；RDS(ON)=86mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.5~2V；
品牌名称
VBsemi(微碧半导体)
商品型号
PMGD280UN-VB
商品编号
C7524968
商品封装
SC70-6​
包装方式
编带
商品毛重
0.0215克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量2个N沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)2.6A
导通电阻(RDS(on))86mΩ@4.5V
属性参数值
耗散功率(Pd)1.5W
阈值电压(Vgs(th))2V
栅极电荷量(Qg)5nC@8V
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道

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