IRF2805SPBF-VB
1个N沟道 耐压:60V 电流:210A
- 描述
- 台积电流片,长电科技封装;是一款单N沟道场效应晶体管,采用Trench技术,适用于中等功率控制和驱动应用,包括电源转换模块、电动工具控制模块、电动汽车电池管理模块等领域。TO263;N—Channel沟道,60V;210A;RDS(ON)=2.8mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=2~4V;
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IRF2805SPBF-VB
- 商品编号
- C7524957
- 商品封装
- TO-263(D2PAK)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.5克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 210A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 184nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 9.125nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 810pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 低品质因数 (FOM) Ron × Qg
- 低输入电容 (Ciss)
- 降低开关和传导损耗
- 超低栅极电荷 (Qg)
- 雪崩能量额定 (UIS)
应用领域
- 服务器和电信电源
- 开关模式电源 (SMPS)
- 功率因数校正电源 (PFC)
- 照明
- 高强度气体放电灯 (HID)
- 荧光灯镇流器照明
- 工业领域
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