IRLU2905ZPBF-VB
1个N沟道 耐压:60V 电流:55A
- 描述
- 台积电流片,长电科技封装;是一款单通道N型场效应晶体管,采用Trench技术,适用于各种中等功率的电源管理和驱动应用,为相关领域提供了可靠的解决方案。TO251;N—Channel沟道,60V;55A;RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1~3V;
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IRLU2905ZPBF-VB
- 商品编号
- C7524963
- 商品封装
- TO-251
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.60875克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 55A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 136W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 46nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.65nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 325pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 570pF |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行栅极电阻(Rg)测试
应用领域
- 用于移动计算
- 负载开关
- 笔记本适配器开关
- DC/DC转换器
相似推荐
其他推荐
- KU310N10D-VB
- MMBF2202PT1G-VB
- MMFT960T1G-VB
- PMGD280UN-VB
- SI3443DV-T1-GE3-VB
- SI3447DV-T1-E3-VB
- SI3457BDV-T1-GE3-VB
- SI4835DY-T1-E3-VB
- SI4966DY-T1-E3-VB
- SIHB22N60E-E3-VB
- SPB18P06PG-VB
- SPD04N60C3-VB
- SQ2361EES-T1-GE3-VB
- ST75NF75-VB
- STD16NF06L-VB
- STD5NK60ZT4-VB
- STP80NF55-06-VB
- STP95N2LH5-VB
- STS2301-VB
- TK80S06K3L-VB
- WNM3003-3/TR-VB
