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KU310N10D-VB实物图
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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

KU310N10D-VB

1个N沟道 耐压:100V 电流:40A

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描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单路N型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于汽车电子模块、工业控制模块等领域。TO252；N—Channel沟道,100V；40A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；
品牌名称
VBsemi(微碧半导体)
商品型号
KU310N10D-VB
商品编号
C7524964
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.404克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)40A
导通电阻(RDS(on))30mΩ@10V
耗散功率(Pd)107W
阈值电压(Vgs(th))3V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)35nC@10V
输入电容(Ciss)2.6nF
反向传输电容(Crss)120pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)290pF

数据手册PDF

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