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IRF3415PBF-JSM
1个N沟道 耐压:200V 电流:40A
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- 描述
- 适合电池管理系统、AC/DC转换及各类消费电子产品。集成双极性通道，提供优越的开关特性和低导通电阻，确保在正负电压下稳定工作，提升系统效能与节能表现。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- IRF3415PBF-JSM
- 商品编号
- C7496527
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.7克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 104W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 154nC@160V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 101pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
SI2303采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，且能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -30V，ID = -4.1A
- 当VGS = 10V时，RDS(ON) < 56mΩ
应用领域
- PWM应用-负载开关-电源管理