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IRF3415PBF-JSM实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IRF3415PBF-JSM

1个N沟道 耐压:200V 电流:40A

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描述
适合电池管理系统、AC/DC转换及各类消费电子产品。集成双极性通道,提供优越的开关特性和低导通电阻,确保在正负电压下稳定工作,提升系统效能与节能表现。
品牌名称
JSMSEMI(杰盛微)
商品型号
IRF3415PBF-JSM
商品编号
C7496527
商品封装
TO-220​
包装方式
管装
商品毛重
2.7克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)200V
连续漏极电流(Id)40A
导通电阻(RDS(on))50mΩ@10V
耗散功率(Pd)104W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2V
栅极电荷量(Qg)154nC@160V
输入电容(Ciss)2.8nF
反向传输电容(Crss)101pF
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

SI2303采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,且能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。

商品特性

  • 专有新型平面技术
  • RDS(ON),典型值 = 50mΩ(VGS = 10V 时)
  • 低栅极电荷,可最大限度降低开关损耗
  • 快速恢复体二极管

应用领域

  • 直流-直流转换器
  • 不间断电源(UPS)用直流-交流逆变器
  • 开关电源和电机控制

数据手册PDF