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SL20N65F
N沟道增强型功率MOSFET
- 描述
- 特性：快速开关。 低导通电阻。 低栅极电荷。 100%单脉冲雪崩能量测试。应用：适配器和充电器的电源开关电路
- 品牌名称
- Slkor(萨科微)
- 商品型号
- SL20N65F
- 商品编号
- C7496545
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.704克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 420mΩ@10V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 45W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 57.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.976nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 15.6pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
30N06采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 60V，ID = 30A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 26mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源