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SL60P03D
P沟道MOSFET
- 描述
- 特性：高密度单元设计，实现超低RDS(ON)。完全表征的雪崩电压和电流。高EAS下具有良好的稳定性和均匀性。应用：电池和负载开关。良好散热的出色封装
- 品牌名称
- Slkor(萨科微)
- 商品型号
- SL60P03D
- 商品编号
- C7496598
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.46348克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V,15A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 110W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.988nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 266pF |
商品特性
- 高密度单元设计，实现超低导通电阻RDS(ON)
- 雪崩电压和电流特性完整
- 高单脉冲雪崩能量下稳定性和一致性良好
应用领域
- 电池和负载开关
- 散热性能出色的封装