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SL80N08D
80V N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- SL80N08D采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
- 品牌名称
- Slkor(萨科微)
- 商品型号
- SL80N08D
- 商品编号
- C7496549
- 商品封装
- TO-252-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.575克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 56W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.86nF@40V | |
| 反向传输电容(Crss) | 38pF@40V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
SL80N08D采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻、低栅极电荷，且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压 = 80V
- 漏极电流 = 80A
- 栅源电压为10V时，漏源导通电阻 < 6.5mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源