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2N7002ET1G-VB
1个N沟道 耐压:60V 电流:250mA
描述
台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电路应用；列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
2N7002ET1G-VB商品编号
C7494520商品封装
SOT-23包装方式
编带
商品毛重
0.022克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 250mA | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 2.8Ω@10V,200mA | |
| 功率(Pd) | 300mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 400pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 25pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 2pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
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