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VB3658
2个N沟道 耐压:60V 电流:4.2A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款双N型MOSFET，采用Trench工艺，适用于多种电子领域和模块。SOT23-6；2个N—Channel沟道,60V；4.2A；RDS(ON)=48mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.2~2.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VB3658
- 商品编号
- C7494514
- 商品封装
- TSOP-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0284克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 48mΩ@10V；60mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 580pF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 42pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 100pF |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 100%栅极电阻（Rg）测试
- 100%非钳位电感开关（UIS）测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- 笔记本电脑系统电源
- 低电流直流-直流（DC/DC）转换