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60N03D实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

60N03D

1个N沟道 耐压:30V 电流:60A

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描述
60N03D是高单元密度的沟槽式N沟道MOSFET,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。60N03D符合RoHS标准,属于绿色产品,100%经过易雪崩二次击穿(EAS)测试,并通过了全功能可靠性认证。
品牌名称
HL(富海微)
商品型号
60N03D
商品编号
C7471100
商品封装
PDFN3333-8L​
包装方式
编带
商品毛重
0.11204克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)60A
导通电阻(RDS(on))4.7mΩ
耗散功率(Pd)25W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.2V
栅极电荷量(Qg)34nC@4.5V
输入电容(Ciss)1.6nF@15V
反向传输电容(Crss)215pF@15V
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

3306是一款N沟道功率MOSFET。其专门设计用于最小化输入电容和栅极电荷。因此,该器件适用于先进的高效开关应用。

商品特性

  • 先进的工艺技术
  • 超低导通电阻
  • 动态dv/dt额定值
  • 175°C工作温度
  • 快速开关
  • 全雪崩额定值
  • 无铅

应用领域

  • LED电源控制器-DC-DC和DC-AC转换器-大电流、高速开关-螺线管和继电器驱动器-电机控制、音频放大器

数据手册PDF