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50P03D
1个P沟道 耐压:30V 电流:50A
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- 描述
- 50P03D是高单元密度沟槽型P沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。50P03D符合RoHS标准和绿色产品要求，100%通过EAS认证，具备全面的功能可靠性。
- 品牌名称
- HL(富海微)
- 商品型号
- 50P03D
- 商品编号
- C7471111
- 商品封装
- PDFN3.3x3.3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.11514克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.7mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 5.2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.77nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 206pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 高功率和高电流处理能力
- 提供无铅产品
- 表面贴装封装
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理
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