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30P20M
1个P沟道 耐压:30V 电流:20A
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- 描述
- 特性：超低栅极电荷。 有环保器件可选。 出色的Cdv/dt效应衰减。 先进的高单元密度沟槽技术。应用：PWM应用。 负载开关
- 品牌名称
- HL(富海微)
- 商品型号
- 30P20M
- 商品编号
- C7471110
- 商品封装
- DFN2x2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.038733克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@10V；18mΩ@4.5V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.33nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 156pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 183pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的CMOS工艺制造，适用于对效率要求极高的DC-DC转换器应用。
商品特性
- 超低栅极电荷
- 提供绿色环保器件
- 出色的Cdv/dt效应抑制能力
- 先进的高单元密度沟槽技术
应用领域
- 开关应用
- 同步整流