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30P10M
1个P沟道 耐压:30V 电流:10A
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- 描述
- 30P10M 是高单元密度沟槽式 P 沟道 MOSFET，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。30P10M 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，100%通过 EAS 认证，具备全面的功能可靠性。
- 品牌名称
- HL(富海微)
- 商品型号
- 30P10M
- 商品编号
- C7471109
- 商品封装
- DFN2X2-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0399克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 19mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 48nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.15nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 139pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
- 负载开关-PWM应用-电源管理
商品特性
- 100V、75A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 9.2 mΩ
- 在VGS = 4.5V时，RDS(ON) < 13.5 mΩ
- 先进的分裂栅沟槽技术
- 出色的RDS(ON)和低栅极电荷
- 获得无铅产品认证